| 参数项 | 通用指标 |
|---|---|
| 隔离技术 | 硅基磁隔离（片上变压器） |
| 隔离耐压 | 2500Vrms ~ 5000Vrms@1min，按型号 / 封装区分 |
| 共模瞬态抑制 CMTI | 25kV/μs ~ 100kV/μs |
| 逻辑供电 | 2.5V ~ 5.5V，支持两侧不同电压域 |
| 工作温度 | -40℃ ~ +125℃（部分型号‑55℃~+125℃） |
| ESD(HBM) | ±8kV ~ ±16kV（总线类更高） |
| 保护特性 | 欠压锁定 UVLO、热关断、输出禁用、总线限流保护 |
| 封装 | SOP‑8、SOW‑8/16/20、LGA‑14 等 |
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